FTZ6.8E

ROHM Semiconductor

描述
6.8 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
6.8 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

VDZ4.7B

ROHM Semiconductor

描述
4.7 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
4.7 V
齐纳电流
5 mA
功率
100 mW
封装类型
表面封装

RSA6.1ENFH

ROHM Semiconductor

描述
6.1 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
6.1 V
齐纳电流
1 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

UDZVFH3.9B

ROHM Semiconductor

描述
3.9 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
3.9 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

TDZ22

ROHM Semiconductor

描述
22 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
22 V
齐纳电流
10 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

EDZ8.2B

ROHM Semiconductor

描述
8.2 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
8.2 V
齐纳电流
5 mA
功率
150 mW
封装类型
表面封装

EDZFH8.2B

ROHM Semiconductor

描述
8.2 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
8.2 V
齐纳电流
5 mA
功率
150 mW
封装类型
表面封装

UDZS6.8B

ROHM Semiconductor

描述
6.8 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
6.8 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

UDZVFH5.1B

ROHM Semiconductor

描述
5.1 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
5.1 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

UMZ9.1K

ROHM Semiconductor

描述
9.1 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
9.1 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛