PTZTF33B

ROHM Semiconductor

描述
33 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
33 V
齐纳电流
10 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

PTZ5.1B

ROHM Semiconductor

描述
5.1 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
5.1 V
齐纳电流
40 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

UMZ22K

ROHM Semiconductor

描述
22 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
22 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

UMZ8.2NFH

ROHM Semiconductor

描述
8.2 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
8.2 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

CDZC6.8BFH

ROHM Semiconductor

描述
6.8 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
6.8 V
齐纳电流
5 mA
功率
100 mW
封装类型
表面封装

UMZ16N

ROHM Semiconductor

描述
16 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
16 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

RSA6.1J4

ROHM Semiconductor

描述
6.1 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
6.1 V
齐纳电流
1 mA
功率
150 mW
封装类型
表面封装

PTZ10B

ROHM Semiconductor

描述
10 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
10 V
齐纳电流
40 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

EDZV5.6B

ROHM Semiconductor

描述
5.6 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
5.6 V
齐纳电流
5 mA
功率
150 mW
封装类型
表面封装

UDZSTF20B

ROHM Semiconductor

描述
20 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
20 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛