BZX84C6V2E

ON Semiconductor

描述
225 W, 6.2 V 齐纳二极管电压调节器
齐纳电压
6.2V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C6V2L

ON Semiconductor

描述
250 mW, 6.2 V ±5%齐纳二极管电压调节器
齐纳电压
6.2V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C6V8E

ON Semiconductor

描述
能量额定齐纳管 in SOT-23 6.8 V 225 W
齐纳电压
6.8V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C6V8L

ON Semiconductor

描述
250 mW 6.8 V ±5%齐纳二极管电压调节器
齐纳电压
6.8V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C75E

ON Semiconductor

描述
能量额定齐纳管in SOT-23 75 V 225 W
齐纳电压
75V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C75L

ON Semiconductor

描述
250 mW 75 V ±5% 齐纳二极管电压调节器
齐纳电压
75V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C7V5E

ON Semiconductor

描述
能量额定齐纳管 in SOT-23 7.5 V 225 W
齐纳电压
7.5V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C7V5L

ON Semiconductor

描述
250 mW 7.5 V ±5% 齐纳二极管电压调节器
齐纳电压
7.5V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C8V2E

ON Semiconductor

描述
能量额定齐纳管 in SOT-23 8.2 V 225 W
齐纳电压
8.2V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C8V2L

ON Semiconductor

描述
250 mW 8.2 V ±5% 齐纳二极管电压调节器
齐纳电压
8.2V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛