BZX84C39E

ON Semiconductor

描述
能量额定齐纳管 in SOT-23 39V 225 W
齐纳电压
39V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C39L

ON Semiconductor

描述
250 mW 39 V ±5%齐纳二极管电压调节器
齐纳电压
39V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C3V0E

ON Semiconductor

描述
能量额定齐纳管 in SOT-23 3.0 V 225 W
齐纳电压
3V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C3V0L

ON Semiconductor

描述
250 mW 3.0 V ±5% 齐纳二极管电压调节器
齐纳电压
3V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C3V3E

ON Semiconductor

描述
能量额定齐纳 in SOT-23 3.3 V 225 W
齐纳电压
3.3V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C3V3L

ON Semiconductor

描述
250 mW 3.3 V ±5%齐纳二极管电压调节器
齐纳电压
3.3V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C3V6E

ON Semiconductor

描述
能量额定齐纳管 in SOT-23 3.6 V 225 W
齐纳电压
3.6V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C3V6L

ON Semiconductor

描述
250 mW 3.6 V ±5% 齐纳二极管电压调节器
齐纳电压
3.6V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C3V9E

ON Semiconductor

描述
能量额定齐纳管 in SOT-23 3.9 V 225 W
齐纳电压
3.9V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

BZX84C3V9L

ON Semiconductor

描述
250 mW 3.9 V ±5% 齐纳二极管电压调节器
齐纳电压
3.9V
功率
0.225W
封装类型
SOT-23-3

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛