1N5356B

ON Semiconductor

描述
18.05至19.95 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
18.05至19.95 V
齐纳电流
65 mA
功率
5 W
封装类型
表面封装

MM5Z10VT1G

ON Semiconductor

描述
9.4至10.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
9.4至10.6 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MM5Z3V6T1G

ON Semiconductor

描述
3.4至3.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.4至3.8 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

NZ9F3V9T5G

ON Semiconductor

描述
3.71至4.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.71至4.1 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MM3Z15VT1G

ON Semiconductor

描述
14.3至15.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.3至15.8 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5255BLT1G

ON Semiconductor

描述
26.6至29.4 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
26.6至29.4 V
齐纳电流
4.5 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5235ELT1/T3G

ON Semiconductor

描述
6.46至7.14 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.46至7.14 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4693T1G

ON Semiconductor

描述
7.13至7.88 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.13至7.88 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4690ET1G

ON Semiconductor

描述
5.32至5.88 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.32至5.88 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

1N5363B

ON Semiconductor

描述
28.5至31.5 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
28.5至31.5 V
齐纳电流
40 mA
功率
5 W
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛