1N5366B

ON Semiconductor

描述
37.05至40.95 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
37.05至40.95 V
齐纳电流
30 mA
功率
5 W
封装类型
表面封装

MMSZ4713T1G

ON Semiconductor

描述
28.5至31.5 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
28.5至31.5 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84C62LT1G

ON Semiconductor

描述
58至66 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
58至66 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ9V1ET1G

ON Semiconductor

描述
8.65至9.56 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.65至9.56 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84B6V8LT1G

ON Semiconductor

描述
6.66至6.94 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.66至6.94 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MM3Z43VT1G

ON Semiconductor

描述
40至46 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
40至46 V
齐纳电流
2 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMBZ15VDLT1G/T3G

ON Semiconductor

描述
14.3至15.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.3至15.8 V
功率
225 mW
封装类型
表面封装

NZ9F6V2T5G

ON Semiconductor

描述
5.89至6.51 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.89至6.51 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5239ELT1/T3G

ON Semiconductor

描述
8.65至9.55 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.65至9.55 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

BZX84B8V2LT1G

ON Semiconductor

描述
8.04至8.36 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.04至8.36 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

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