MMSZ4681T1G

ON Semiconductor

描述
2.28至2.52 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.28至2.52 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

1N5377B

ON Semiconductor

描述
86.45至95.55 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
86.45至95.55 V
齐纳电流
15 mA
功率
5 W
封装类型
表面封装

MMSZ24T1G

ON Semiconductor

描述
22.8至25.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
22.8至25.2 V
齐纳电流
2 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

1N5938B, G

ON Semiconductor

描述
34.2至37.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
34.2至37.8 V
齐纳电流
10.4 mA
功率
3 W
封装类型
表面封装

MM5Z11VT1G

ON Semiconductor

描述
10.4至11.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
10.4至11.6 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

1N5929B, G

ON Semiconductor

描述
14.25至15.75 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.25至15.75 V
齐纳电流
25 mA
功率
3 W
封装类型
表面封装

MMSZ5241BT1G

ON Semiconductor

描述
10.45至11.55 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
10.45至11.55 V
齐纳电流
20 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

NZ9F6V2ST5G

ON Semiconductor

描述
6.06至6.33 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.06至6.33 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

NZ9F24VT5G

ON Semiconductor

描述
22.8至25.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
22.8至25.2 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MM5Z68VT1G

ON Semiconductor

描述
64至72 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
64至72 V
齐纳电流
2 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛