1SMA5932BT3G

ON Semiconductor

描述
19至21 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
19至21 V
齐纳电流
18.7 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

MM5Z8V2ST1G

ON Semiconductor

描述
8.02至8.36 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.02至8.36 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

NZ9F3V3ST5G

ON Semiconductor

描述
3.32至3.53 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.32至3.53 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ11T1G

ON Semiconductor

描述
10.45至11.55 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
10.45至11.55 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84C12LT1G

ON Semiconductor

描述
11.4至12.7 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
11.4至12.7 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ27T1G/T3G

ON Semiconductor

描述
25.65 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
25.65 V
齐纳电流
2 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

NZ9F18VT5G

ON Semiconductor

描述
17.1至18.9 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
17.1至18.9 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ13ET1G

ON Semiconductor

描述
12.35至13.65 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
12.35至13.65 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

1PMT5920BT1G

ON Semiconductor

描述
5.89至6.51 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.89至6.51 V
齐纳电流
60.5 mA
功率
3.2 W
封装类型
表面封装

BZX84C62ET1G

ON Semiconductor

描述
58至66 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
58至66 V
齐纳电流
2, 0.1, 10 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

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