MMBZ5248BLT1G/T3G

ON Semiconductor

描述
17.1至18.9 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
17.1至18.9 V
齐纳电流
7 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5261BLT1G/T3G

ON Semiconductor

描述
44.65至49.35 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
44.65至49.35 V
齐纳电流
2.7 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5226BLT1G

ON Semiconductor

描述
3.13至3.47 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.13至3.47 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5242BLT1G/T3G

ON Semiconductor

描述
11.4至12.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
11.4至12.6 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4688ET1G

ON Semiconductor

描述
4.47至4.94 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4.47至4.94 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84C22ET1G

ON Semiconductor

描述
20.8至23.3 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
20.8至23.3 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

BZX84C3V0LT1G

ON Semiconductor

描述
2.8至3.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.8至3.2 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

NZ9F2V7T5G

ON Semiconductor

描述
2.57至2.84 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.57至2.84 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

BZX84C3V0ET1G

ON Semiconductor

描述
2.8至3.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.8至3.2 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ15ET1G

ON Semiconductor

描述
14.25至15.75 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.25至15.75 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

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