PDZ13B

NXP Semiconductors

描述
13 V,稳压二极管
齐纳电压
13 V
齐纳电流
5 mA
功率
400 mW
封装类型
表面封装

BZB784-C5V6

NXP Semiconductors

描述
5 V,双稳压二极管
齐纳电压
5 V
齐纳电流
5 mA
功率
350 mW
封装类型
表面封装

BZV55-B5V6

NXP Semiconductors

描述
5.6 V,稳压二极管
齐纳电压
5.6 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX384-B10

NXP Semiconductors

描述
10 V,单齐纳二极管
齐纳电压
10 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

BZB984-C2V7

NXP Semiconductors

描述
2 V,双稳压二极管
齐纳电压
2 V
齐纳电流
5 mA
功率
350 mW
封装类型
表面封装

BZB84-B8V2

NXP Semiconductors

描述
8 V,双齐纳二极管
齐纳电压
8 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PZU6.2B2A

NXP Semiconductors

描述
6 V,单齐纳二极管
齐纳电压
6 V
齐纳电流
5 mA
功率
490 mW
封装类型
表面封装

NZH8V2B

NXP Semiconductors

描述
8.2 V,单齐纳二极管
齐纳电压
8.2 V
齐纳电流
20 mA
功率
830 mW
封装类型
表面封装

BZV90-C33

NXP Semiconductors

描述
33 V,稳压二极管
齐纳电压
33 V
齐纳电流
5 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

BZV85-C13

NXP Semiconductors

描述
13 V,稳压二极管
齐纳电压
13 V
齐纳电流
45 mA
功率
1.3 W
封装类型
引脚

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛