BZV55-B3V9

NXP Semiconductors

描述
3 V,稳压二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX384-B6V2

NXP Semiconductors

描述
6 V,单齐纳二极管
齐纳电压
6 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

BZV90-C5V1

NXP Semiconductors

描述
5.1 V,稳压二极管
齐纳电压
5.1 V
齐纳电流
5 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

BZB984-C3V6

NXP Semiconductors

描述
3 V,双稳压二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
350 mW
封装类型
表面封装

PZU20B3A

NXP Semiconductors

描述
20 V,单齐纳二极管
齐纳电压
20 V
齐纳电流
5 mA
功率
490 mW
封装类型
表面封装

BZV85-C15

NXP Semiconductors

描述
15 V,稳压二极管
齐纳电压
15 V
齐纳电流
45 mA
功率
1.3 W
封装类型
引脚

BZV85-C62

NXP Semiconductors

描述
62 V,稳压二极管
齐纳电压
62 V
齐纳电流
6 mA
功率
1.3 W
封装类型
引脚

PZU11B2L

NXP Semiconductors

描述
10 V,单齐纳二极管
齐纳电压
10 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PZU20DB2

NXP Semiconductors

描述
19 V,双齐纳二极管
齐纳电压
19 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX79-B51

NXP Semiconductors

描述
51 V,稳压二极管
齐纳电压
51 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
引脚

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛