PZU5.6B2A

NXP Semiconductors

描述
5 V,单齐纳二极管
齐纳电压
5 V
齐纳电流
5 mA
功率
490 mW
封装类型
表面封装

BZT52H-C4V7

NXP Semiconductors

描述
4 V,单齐纳二极管,SOD123F封装
齐纳电压
4 V
齐纳电流
5 mA
功率
830 mW
封装类型
表面封装

BZX84J-C36

NXP Semiconductors

描述
36 V,单齐纳二极管
齐纳电压
36 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

BZV55-C12

NXP Semiconductors

描述
12 V,稳压二极管
齐纳电压
12 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZV49-C3V0

NXP Semiconductors

描述
3 V,稳压二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

PZU3.9BA

NXP Semiconductors

描述
3 V,单齐纳二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
490 mW
封装类型
表面封装

BZX84-B3V3

NXP Semiconductors

描述
3 V,单齐纳二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX585-C2V4

NXP Semiconductors

描述
2.4 V,稳压二极管
齐纳电压
2.4 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

BZX884-C7V5

NXP Semiconductors

描述
7 V,稳压二极管
齐纳电压
7 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZB84-B27

NXP Semiconductors

描述
27 V,双齐纳二极管
齐纳电压
27 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛