BZT52H-C5V6

NXP Semiconductors

描述
5 V,单齐纳二极管,SOD123F封装
齐纳电压
5 V
齐纳电流
5 mA
功率
830 mW
封装类型
表面封装

NZX7V5D

NXP Semiconductors

描述
7 V,单齐纳二极管
齐纳电压
7 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

PDZ3.3B

NXP Semiconductors

描述
3.3 V,稳压二极管
齐纳电压
3.3 V
齐纳电流
5 mA
功率
400 mW
封装类型
表面封装

PZU2.7BL

NXP Semiconductors

描述
2 V,单齐纳二极管
齐纳电压
2 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PLVA653A

NXP Semiconductors

描述
5 V,低电压雪崩稳压二极管
齐纳电压
5 V
齐纳电流
0.25 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PZU4.3B2A

NXP Semiconductors

描述
4 V,单齐纳二极管
齐纳电压
4 V
齐纳电流
5 mA
功率
490 mW
封装类型
表面封装

BZX84-B16

NXP Semiconductors

描述
16 V,单齐纳二极管
齐纳电压
16 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZV90-C11

NXP Semiconductors

描述
11 V,稳压二极管
齐纳电压
11 V
齐纳电流
5 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

BZX84-A13

NXP Semiconductors

描述
13 V,单齐纳二极管
齐纳电压
13 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PZU6.2B1A

NXP Semiconductors

描述
6 V,单齐纳二极管
齐纳电压
6 V
齐纳电流
5 mA
功率
490 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛