BZV85-C22

NXP Semiconductors

描述
22 V,稳压二极管
齐纳电压
22 V
齐纳电流
25 mA
功率
1.3 W
封装类型
引脚

NZX2V7A

NXP Semiconductors

描述
2.6 V,单齐纳二极管
齐纳电压
2.6 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX79-B24

NXP Semiconductors

描述
24 V,稳压二极管
齐纳电压
24 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
引脚

BZT52H-B3V9

NXP Semiconductors

描述
3.9 V,单齐纳二极管,SOD123F封装
齐纳电压
3.9 V
齐纳电流
5 mA
功率
830 mW
封装类型
表面封装

NZH4V7B

NXP Semiconductors

描述
4.7 V,单齐纳二极管
齐纳电压
4.7 V
齐纳电流
20 mA
功率
830 mW
封装类型
表面封装

BZX84J-B11

NXP Semiconductors

描述
11 V,单齐纳二极管
齐纳电压
11 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

BZB84-B10

NXP Semiconductors

描述
10 V,双齐纳二极管
齐纳电压
10 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZB84-C22

NXP Semiconductors

描述
22.05 V,双齐纳二极管
齐纳电压
22.05 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZB84-C9V1

NXP Semiconductors

描述
9 V,双齐纳二极管
齐纳电压
9 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX884-C4V7

NXP Semiconductors

描述
4 V,稳压二极管
齐纳电压
4 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛