BZB784-C2V4

NXP Semiconductors

描述
2 V,双稳压二极管
齐纳电压
2 V
齐纳电流
5 mA
功率
350 mW
封装类型
表面封装

PZU3.6BL

NXP Semiconductors

描述
3 V,单齐纳二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX84-A5V6

NXP Semiconductors

描述
5.6 V,单齐纳二极管
齐纳电压
5.6 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZV49-C16

NXP Semiconductors

描述
16 V,稳压二极管
齐纳电压
16 V
齐纳电流
5 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

BZV90-C30

NXP Semiconductors

描述
30 V,稳压二极管
齐纳电压
30 V
齐纳电流
5 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

TDZ6V2J

NXP Semiconductors

描述
6 V,单齐纳二极管
齐纳电压
6 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

NZX5V6B

NXP Semiconductors

描述
5 V,单齐纳二极管
齐纳电压
5 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZB984-C6V2

NXP Semiconductors

描述
6.2 V,双稳压二极管
齐纳电压
6.2 V
齐纳电流
5 mA
功率
350 mW
封装类型
表面封装

PZU30BL

NXP Semiconductors

描述
30 V,单齐纳二极管
齐纳电压
30 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

NZX13B

NXP Semiconductors

描述
12 V,单齐纳二极管
齐纳电压
12 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛