BZB84-C5V6

NXP Semiconductors

描述
5 V,双齐纳二极管
齐纳电压
5 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX884-C56

NXP Semiconductors

描述
56 V,稳压二极管
齐纳电压
56 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

NZX3V0B

NXP Semiconductors

描述
3 V,单齐纳二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZB984-C3V9

NXP Semiconductors

描述
3 V,双稳压二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
350 mW
封装类型
表面封装

BZX884-B3V0

NXP Semiconductors

描述
3 V,稳压二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZB84-C3V6

NXP Semiconductors

描述
3 V,双齐纳二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PZU3.3B2

NXP Semiconductors

描述
3 V,单齐纳二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

NZX22B

NXP Semiconductors

描述
22 V,单齐纳二极管
齐纳电压
22 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX884-B27

NXP Semiconductors

描述
27 V,稳压二极管
齐纳电压
27 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX384-C5V6

NXP Semiconductors

描述
5 V,单齐纳二极管
齐纳电压
5 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛