PZU6.2BL

NXP Semiconductors

描述
6 V,单齐纳二极管
齐纳电压
6 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX84-C3V6

NXP Semiconductors

描述
3.6 V,单齐纳二极管
齐纳电压
3.6 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX84J-C12

NXP Semiconductors

描述
12 V,单齐纳二极管
齐纳电压
12 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

NZX27A

NXP Semiconductors

描述
25 V,单齐纳二极管
齐纳电压
25 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

PZU22B2L

NXP Semiconductors

描述
22 V,单齐纳二极管
齐纳电压
22 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZV55-B13

NXP Semiconductors

描述
13 V,稳压二极管
齐纳电压
13 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

PDZ3.6B

NXP Semiconductors

描述
3.6 V,稳压二极管
齐纳电压
3.6 V
齐纳电流
5 mA
功率
400 mW
封装类型
表面封装

BZX79-C3V0

NXP Semiconductors

描述
3 V,稳压二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
引脚

PZU18B

NXP Semiconductors

描述
18 V,单齐纳二极管
齐纳电压
18 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

BZV85-C7V5

NXP Semiconductors

描述
7 V,稳压二极管
齐纳电压
7 V
齐纳电流
4 mA
功率
1.3 W
封装类型
引脚

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛