PZU2.7DB2

NXP Semiconductors

描述
2 V,双齐纳二极管
齐纳电压
2 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PZU9.1B2L

NXP Semiconductors

描述
9 V,单齐纳二极管
齐纳电压
9 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PZU11B3

NXP Semiconductors

描述
11 V,单齐纳二极管
齐纳电压
11 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

BZX84-A2V4

NXP Semiconductors

描述
2 V,单齐纳二极管
齐纳电压
2 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX84-C36

NXP Semiconductors

描述
36 V,单齐纳二极管
齐纳电压
36 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

NZX7V5B

NXP Semiconductors

描述
7 V,单齐纳二极管
齐纳电压
7 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

NZX11A

NXP Semiconductors

描述
10 V,单齐纳二极管
齐纳电压
10 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX84-B27

NXP Semiconductors

描述
27 V,单齐纳二极管
齐纳电压
27 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

PZU27BL

NXP Semiconductors

描述
27 V,单齐纳二极管
齐纳电压
27 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX84-B75

NXP Semiconductors

描述
75 V,单齐纳二极管
齐纳电压
75 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛