Qorvo

描述

X 频段 离散功率 pHEMT

频率

0 - 12000 MHz

供电电压

8 - 12 V

电流

75 - 125 mA

增益

11 dB

功率(W)

1 W

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Qorvo

描述

18 mm HFET

频率

0 - 6000 MHz

供电电压

8 V

电流

1690 mA

增益

13.5 dB

功率(W)

7.079 W

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Qorvo

描述

100 W SiC基离散功率GaN HEMT

频率

0 - 18000 MHz

供电电压

28 - 40 V

电流

2000 mA

增益

15 dB

功率(W)

100 W

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Qorvo

描述

X 频段 离散功率 pHEMT

频率

0 - 12000 MHz

供电电压

8 - 12 V

电流

900 - 1500 mA

增益

11 dB

功率(W)

15.849 W

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Qorvo

描述

DC - 4 GHz 封装的 pHEMT

频率

0 - 4000 MHz

供电电压

5 V

电流

150 mA

增益

16 dB

功率(W)

447 mW

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Qorvo

描述

10 W, 12 V, 500 MHz - 3 GHz pHEMT 射频功率晶体管

频率

500 - 2700 MHz

供电电压

12 V

电流

200 mA

增益

10 dB

功率(W)

10 W

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Qorvo

描述

GaAs MESFET

频率

50 - 4000 MHz

供电电压

5 V

电流

150 mA

增益

19 dB

功率(W)

126 mW

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Qorvo

描述

30 Watt，32 Volt，0.03至4.0 GHz，GaN射频晶体管

频率

30 MHz至4.0 GHz

供电电压

32 V

增益

19.3 dB

封装类型

表面封装

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Qorvo

描述

Ku 频段 离散功率 pHEMT

频率

0 - 20000 MHz

供电电压

8 - 12 V

电流

180 - 300 mA

增益

13 dB

功率(W)

2.512 W

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Qorvo

描述

30 W, 28 V, 500 MHz - 2 GHz LDMOS 射频功率晶体管

频率

500 - 2000 MHz

供电电压

28 V

电流

200 mA

增益

10 dB

功率(W)

31.623 W

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