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UDFN-8
(1)
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WLCSP-8
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功率MITE-2
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应用
频率
最小值
≥
=
~
最大值
≤
=
~
MHz
GHz
KHz
0 ~ 3 GHz
0 ~ 6 GHz
0 ~ 18 GHz
0 ~ 26.5 GHz
0 ~ 40 GHz
应用
功率(W)
最小值
≥
≤
IN
=
~
最大值
≤
≥
IN
=
~
dBm
W
KW
mW
应用
电流
最小值
≥
≤
IN
=
~
最大值
≤
≥
IN
=
~
A
mA
uA
应用
供电电压
最小值
≥
≤
IN
=
~
最大值
≤
≥
IN
=
~
V
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应用
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NGTD5R65F2
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ON Semiconductor
描述
整流器 650V 20A FS2 裸片
供电电压
1.1V
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NGTD8R65F2
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ON Semiconductor
描述
整流器 650V 30A FS2 裸片
供电电压
2.1V
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对比
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NGTD9R120F2
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ON Semiconductor
描述
整流器 1200V 15A FS2 裸片
供电电压
2V
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NGTG12N60TF1G
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ON Semiconductor
描述
N-Channel IGBT, 600V, 12A, VCE(sat)=1.4V, TO-3PF-3L
电流
12A
功率(W)
54W
封装类型
TO-3PF-3L
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NGTG15N120FL2
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ON Semiconductor
描述
IGBT 1200V 15A Solar/UPS
电流
15A
功率(W)
294W
封装类型
TO-247
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询价
NGTG15N60S1
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ON Semiconductor
描述
IGBT 600V 15A NPT
电流
15A
功率(W)
117W
封装类型
TO-220-3
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询价
NGTG20N60L2TF1G
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ON Semiconductor
描述
N-Channel IGBT, 600V, 20A, VCE(sat);1.45V, 单体TO-3PF-3L
电流
20A
功率(W)
64W
封装类型
TO-3PF-3L
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NGTG25N120FL2
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ON Semiconductor
描述
IGBT 1200V 25A SOLAR/UPS
电流
25A
功率(W)
385W
封装类型
TO-247
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NGTG30N60FLWG
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ON Semiconductor
描述
IGBT, PFC, 高频, 30 A, 600 V
电流
30A
功率(W)
167W
封装类型
TO-247-3
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NGTG30N60FWG
收藏
ON Semiconductor
描述
IGBT, 600 V, 30 A, PFC, 低频
电流
30A
功率(W)
167W
封装类型
TO-247-3
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对比
询价
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