MVGSF1N03L

ON Semiconductor

描述
功率 MOSFET 30V 2.1A 100 mOhm Single N-Channel SOT23
供电电压
2.4V-30V
电流
2.1A
封装类型
SOT-23-3

MVMBF0201NL

ON Semiconductor

描述
小信号 MOSFET 20V 300mA 1 Ohm Single N-Channel SOT-23 逻辑电平
供电电压
2.4V-20V
电流
0.3A
封装类型
SOT-23-3

MVSF2N02EL

ON Semiconductor

描述
功率 MOSFET 20V 2.8A 85 mOhm Single N-Channel SOT-23 逻辑电平
供电电压
1V-20V
电流
2.8A
封装类型
SOT-23-3

NDBA100N10B

ON Semiconductor

描述
功率 MOSFET, 100V, 6.9mΩ, 100A, N-Channel
供电电压
4V-100V
电流
100A
封装类型
D2PAK-3

NDBA170N06A

ON Semiconductor

描述
N-Channel 功率 MOSFET, 60V, 170A, 3.3mΩ, TO-263.
供电电压
2.6V-60V
电流
170A
封装类型
D2PAK-3

NDBA180N10B

ON Semiconductor

描述
功率 MOSFET, 100V, 2.8mΩ, 180A, N-Channel
供电电压
4V-100V
电流
180A
封装类型
D2PAK-3

NDD02N40

ON Semiconductor

描述
功率 MOSFET 400V 1.7A 5.5 Ohm Single N-Channel DPAK
供电电压
2V-400V
电流
1.7A
封装类型
DPAK-3 IPAK-4

NDD02N60Z

ON Semiconductor

描述
功率 MOSFET 600V 2.2A 4.8 Ohm Single N-Channel DPAK
供电电压
4.5V-600V
电流
2.2A
封装类型
DPAK-3 IPAK-4

NDD03N40Z

ON Semiconductor

描述
功率 MOSFET 400V 2.1A 3.4 OHM Single N-Channel DPAK
供电电压
4.5V-400V
电流
2.1A
封装类型
DPAK-3 IPAK-4

NDD03N60Z

ON Semiconductor

描述
功率 MOSFET 600V 2.6A 3.6 Ohm Single N-Channel DPAK
供电电压
4.5V-600V
电流
2.6A
封装类型
DPAK-3 IPAK-4

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛