Integra Technologies, Inc.

描述

1025至1150 MHz，10.6 dB 双极晶体管

频率

1025至1150 MHz

供电电压

50 V

增益

10.6 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

1至500 MHz，VDMOS晶体管

频率

1至500 MHz

供电电压

28 V

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

1030 MHz，12.3 dB 双极晶体管

频率

1030 MHz

供电电压

50 V

增益

12.3 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

1030至1090 MHz，15.6 dB LDMOS晶体管

频率

1030至1090 MHz

供电电压

32 V

增益

15.6 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

1030至1090 MHz，16.6 dB LDMOS晶体管

频率

1030至1090 MHz

供电电压

28 V

增益

16.6 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

4400至5000 MHz，13 dB GaN晶体管

频率

4400至5000 MHz

供电电压

36 V

增益

13 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

3100至3500 MHz，7.4 dB 双极晶体管

频率

3100至3500 MHz

供电电压

36 V

增益

7.4 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

2300至2500 MHz，12 dB GaN晶体管

频率

2300至2500 MHz

供电电压

28 V

增益

12 dB

封装类型

法兰

下载手册 官网资料 对比 询价

Integra Technologies, Inc.

描述

3100至3500 MHz，8.7 dB 双极晶体管

频率

3100至3500 MHz

供电电压

36 V

增益

8.7 dB

封装类型

法兰

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Integra Technologies, Inc.

描述

2998 MHz，12.6 dB GaN晶体管

频率

2998 MHz

供电电压

50 V

增益

12.6 dB

封装类型

法兰

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