IB2731MH25

Integra Technologies, Inc.

描述
2700至3100 MHz,9.7 dB 双极晶体管
频率
2700至3100 MHz
供电电压
36 V
增益
9.7 dB
封装类型
法兰

ILD3135M180

Integra Technologies, Inc.

描述
3100至3500 MHz,11 dB LDMOS晶体管
频率
3100至3500 MHz
供电电压
32 V
增益
11 dB
封装类型
法兰

IB1011M350

Integra Technologies, Inc.

描述
1030 MHz,11.1 dB 双极晶体管
频率
1030 MHz
供电电压
50 V
增益
11.1 dB
封装类型
法兰

IB1011S250

Integra Technologies, Inc.

描述
1030至1090 MHz,9.5 dB 双极晶体管
频率
1030至1090 MHz
供电电压
50 V
增益
9.5 dB
封装类型
法兰

IB1011S1000

Integra Technologies, Inc.

描述
1030至1090 MHz,9.8 dB 双极晶体管
频率
1030至1090 MHz
供电电压
50 V
增益
9.8 dB
封装类型
法兰

IB1214M300

Integra Technologies, Inc.

描述
1200至1400 MHz,7.4 dB 双极晶体管
频率
1200至1400 MHz
供电电压
40 V
增益
7.4 dB
封装类型
法兰

IGN5259M80

Integra Technologies, Inc.

描述
5200至5900 MHz,11 dB GaN晶体管
频率
5200至5900 MHz
供电电压
36 V
增益
11 dB
封装类型
法兰

IB0912M500

Integra Technologies, Inc.

描述
960至1215 MHz,7.8 dB 双极晶体管
频率
960至1215 MHz
供电电压
50 V
增益
7.8 dB
封装类型
法兰

ILD2735M120

Integra Technologies, Inc.

描述
2700至3500 MHz,10 dB LDMOS晶体管
频率
2700至3500 MHz
供电电压
32 V
增益
10 dB
封装类型
法兰

IGN1214M60

Integra Technologies, Inc.

描述
1200至1400 MHz,19 dB GaN晶体管
频率
1200至1400 MHz
供电电压
50 V
增益
19 dB
封装类型
法兰

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