2729GN-400

Microsemi

描述
2.7至2.9 GHz GaN晶体管
频率
2.7至2.9 GHz
增益
11至11.6 dB

MS2205

Microsemi

频率
1025 - 1150 MHz
供电电压
28 V
增益
9 dB
功率(W)
4 W

MS1582

Microsemi

频率
860 MHz
供电电压
25 V
电流
3.2 A
增益
9 dB
功率(W)
25 W

TAN15

Microsemi

频率
960 - 1215 MHz
供电电压
40 V
增益
7 dB
功率(W)
15 W

TPR400

Microsemi

频率
1030 - 1090 MHz
供电电压
50 V
增益
7.3 dB
功率(W)
400 W

MS1454

Microsemi

频率
860 MHz
供电电压
24 V
电流
0.06 A
增益
7.5 dB
功率(W)
30 W

BFR90

2729GN-500

Microsemi

描述
2.7至2.9 GHz GaN晶体管
频率
2.7至2.9 GHz
增益
11.5至12.6 dB

DME150

Microsemi

频率
1025 - 1150 MHz
供电电压
50 V
增益
7.8 dB
功率(W)
150 W

0912GN-300

Microsemi

描述
960 MHz至1.215GHz GaN晶体管
频率
960 MHz至1.215GHz
增益
17.5至18.5 dB

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛