MRFE6S9205H

Freescale

描述
880 MHz,58 W Avg.,28 V,单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
频率
880 - 960 MHz
供电电压
28 V
增益
21.2 dB @ 21.2 MHz
功率(W)
200 W

MRF6P27160HR6

Freescale

描述
2600至2700 MHz,35 W,N至通道,射频功率MOS场效应晶体管
频率
2600至2700 MHz
供电电压
28 V
增益
14.6 dB @ 14.6 MHz

MRFE6VP8600H

Freescale

描述
470-860 MHz,600 W,50 V LDMOS 宽带 RF功率晶体管
频率
470 - 860 MHz
供电电压
50 V
增益
19.3 dB @ 19.3 MHz
功率(W)
600 W

MRF5S9101N

Freescale

描述
869-960 MHz,100 W,26 V GSM/GSM EDGE 侧面N-通道RF功率MOSFET
频率
869 - 960 MHz
供电电压
26 V
增益
17.5 dB @ 17.5 MHz
功率(W)
100 W

MRF6S21100H

Freescale

描述
2110-2170 MHz,23 W Avg.,28 V,2 x W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
频率
2110 - 2170 MHz
供电电压
28 V
增益
15.9 dB @ 15.9 MHz
功率(W)
100 W

MRF7S35015HSR3

Freescale

描述
3100-3500 MHz,15 W 峰值,32 V 脉冲 侧面N-通道RF功率MOSFET
频率
3100 - 3500 MHz
供电电压
32 V
增益
16 dB @ 16 MHz
功率(W)
15 W

MRF8P20100H

Freescale

描述
1805-2025 MHz,20 W Avg.,28 V 单 W-CDMA 侧面N-通道RF功率MOSFET
频率
1805 - 2025 MHz
供电电压
28 V
增益
16 dB @ 16 MHz
功率(W)
78 W

AFT09VP350N

Freescale

描述
720-960 MHz,95 W Avg.,48 V Airfast RF功率晶体管
频率
720 - 960 MHz
供电电压
48 V
功率(W)
95 W

MRFE6S9046N

Freescale

描述
920-960 MHz,35.5 W CW,28 V GSM,GSM EDGE 侧面N-通道RF功率MOSFET
频率
920 - 960 MHz
供电电压
28 V
增益
19 dB @ 19 MHz
功率(W)
45 W

MRF8P9210N

Freescale

描述
920-960 MHz,63 W Avg.,28 V 单 W-CDMA RF功率LDMOS晶体管
频率
920 - 960 MHz
供电电压
28 V
增益
16.7 dB @ 16.7 MHz
功率(W)
193 W

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