MACOM
- 描述
- GaN on SiC HEMT,功率晶体管
- 频率
- 2700 - 3100 MHz
- 增益
- 11 dB
- 功率(W)
- 180 W
MACOM
- 描述
- 硅基Bipolar晶体管
- 频率
- 1200 - 1400 MHz
- 功率(W)
- 3 W
- 封装类型
- 陶瓷
MACOM
- 描述
- 硅基Bipolar晶体管
- 频率
- 1025 - 1150 MHz
- 功率(W)
- 850 W
- 封装类型
- 陶瓷
MACOM
- 描述
- 硅基TMOS晶体管
- 频率
- 5 - 500 MHz
- 功率(W)
- 20 W
- 封装类型
- 陶瓷
MACOM
- 描述
- 硅基Bipolar晶体管
- 频率
- 1200 - 1400 MHz
- 功率(W)
- 220 W
- 封装类型
- 陶瓷
MACOM
- 描述
- 硅基DMOS晶体管
- 频率
- 30 - 175 MHz
- 功率(W)
- 20 W
- 封装类型
- 陶瓷
MACOM
- 描述
- 硅基Bipolar晶体管
- 频率
- 1600 - 1640 MHz
- 功率(W)
- 6 W
- 封装类型
- 陶瓷
MACOM
- 描述
- 硅基DMOS晶体管
- 频率
- 100 - 500 MHz
- 功率(W)
- 20 W
- 封装类型
- 陶瓷
MACOM
- 描述
- 硅基Bipolar晶体管
- 频率
- 1200 - 1400 MHz
- 功率(W)
- 80 W
- 封装类型
- 陶瓷
MACOM
- 描述
- 1 - 2500 MHz,GaN on SiC on HEMT,150 W功率晶体管
- 频率
- 1 - 2500 MHz
- 供电电压
- 50 V
- 增益
- 17.5 - 18 dB
- 功率(W)
- 150 - 170 W