HMC219AMS8

Analog Devices

RF频率
4.5 - 9.0 GHz
LO频率
4.5 - 9.0 GHz
中频频率
DC - 2.5 GHz
转换损耗
8.5 dB
封装类型
表贴
LO驱动功率
13 dBm
P1dB
5 - 10 dBm
IP3
21 dBm

HMC785LP4E

Analog Devices

描述
高 IP3, DBL-BAL, 0 LO
RF频率
1.7 - 2.2 GHz
LO频率
1.5 - 2.2 GHz
中频频率
0.05 - 0.30 GHz
转换损耗
8 dB
封装类型
表贴
P1dB
26 dBm
IP3
38 dBm

HMC277MS8

Analog Devices

RF频率
0.7 - 1.2 GHz
LO频率
700 MHz - 1.2 GHz
中频频率
DC - 0.3 GHz
转换损耗
9 dB
封装类型
表贴
LO驱动功率
13 dBm
P1dB
9 - 12 dBm
IP3
21 dBm

HMC571LC5

Analog Devices

描述
I/Q 下变频器/接收器
RF频率
21 - 25 GHz
LO频率
9 - 14 GHz
中频频率
DC - 3.5 GHz
封装类型
表贴
LO驱动功率
4 dBm
P1dB
-9 - -5 dBm
IP3
2 dBm

HMC142

Analog Devices

RF频率
1-18 GHz
LO频率
16 - 18 GHz
中频频率
DC - 6 GHz
转换损耗
10 dB
封装类型
Die
LO驱动功率
15 dBm
P1dB
15 dBm
IP3
21 dBm

HMC144

Analog Devices

RF频率
5-20 GHz
LO频率
12 - 20 GHz
中频频率
DC - 3 GHz
转换损耗
10 dB
封装类型
表贴
LO驱动功率
20 dBm
P1dB
12 - 15 dBm
IP3
25 dBm

HMC129LC4

Analog Devices

RF频率
4-8 GHz
LO频率
4.0 - 8.0 GHz
中频频率
DC - 3 GHz
转换损耗
7 dB
封装类型
表贴
LO驱动功率
15 dBm
P1dB
10 dBm
IP3
17 dBm

HMC175MS8E

Analog Devices

描述
射频、微波混频器,1.7 GHz-4.5 GHz
RF频率
1.7 GHz-4.5 GHz
转换损耗
11dB

HMC399MS8

Analog Devices

描述
高 IP3, SGL-END
RF频率
0.7 - 1.0 GHz
LO频率
880 - 960 MHz
中频频率
DC - 0.25 GHz
转换损耗
8.5 dB
封装类型
表贴
LO驱动功率
17 dBm
P1dB
18 - 24 dBm
IP3
35 dBm

HMC141

Analog Devices

RF频率
1-18 GHz
LO频率
12 - 14 GHz
中频频率
DC - 6 GHz
转换损耗
10 dB
封装类型
表贴
LO驱动功率
15 dBm
P1dB
15 dBm
IP3
21 dBm

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛