MMBZ5263BLT1G

ON Semiconductor

描述
53.2至58.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
53.2至58.8 V
齐纳电流
2.2 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4700T1G

ON Semiconductor

描述
12.35至13.65 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
12.35至13.65 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ18T1G/T3G

ON Semiconductor

描述
17.1至18.9 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
17.1至18.9 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MM5Z51VT1G

ON Semiconductor

描述
48至54 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
48至54 V
齐纳电流
2 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5238BT1G

ON Semiconductor

描述
8.27至9.14 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.27至9.14 V
齐纳电流
20 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

NZ9F3V6ST5G

ON Semiconductor

描述
3.6至3.85 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.6至3.85 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

BZX84C75LT1G

ON Semiconductor

描述
70至79 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
70至79 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5226ELT1/T3G

ON Semiconductor

描述
3.13至3.47 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.13至3.47 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

BZX84C18LT1/T3G

ON Semiconductor

描述
16.8至19.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
16.8至19.1 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MM5Z15VT1G

ON Semiconductor

描述
14.3至15.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
14.3至15.8 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛