BZX84B9V1LT1G

ON Semiconductor

描述
8.92至9.28 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.92至9.28 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5228BT1G

ON Semiconductor

描述
3.71至4.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.71至4.1 V
齐纳电流
20 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ5266BT1G

ON Semiconductor

描述
64.6至71.4 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
64.6至71.4 V
齐纳电流
1.8 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MM3Z16VT1G

ON Semiconductor

描述
15.3至17.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
15.3至17.1 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4715T1G

ON Semiconductor

描述
34.2至37.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
34.2至37.8 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

NZ9F3V9ST5G

ON Semiconductor

描述
3.89至4.16 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
3.89至4.16 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4697ET1G

ON Semiconductor

描述
9.5至10.5 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
9.5至10.5 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

1N5341B

ON Semiconductor

描述
5.89至6.51 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.89至6.51 V
齐纳电流
200 mA
功率
5 W
封装类型
表面封装

MMBZ5242ELT1/T3G

ON Semiconductor

描述
11.4至12.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
11.4至12.6 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MM3Z75VT1G

ON Semiconductor

描述
70至79 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
70至79 V
齐纳电流
2 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛