BZX84C22LT1G

ON Semiconductor

描述
20.8至23.3 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
20.8至23.3 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MM5Z12VST1G

ON Semiconductor

描述
11.74至12.24 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
11.74至12.24 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MM5Z2V4T1G

ON Semiconductor

描述
2.2至2.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.2至2.6 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MM5Z5V6ST1G

ON Semiconductor

描述
5.49至5.73 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.49至5.73 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMSZ56ET1G

ON Semiconductor

描述
53.2至58.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
53.2至58.8 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ16T1G

ON Semiconductor

描述
15.2至16.8 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
15.2至16.8 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

1SMA5922BT3G

ON Semiconductor

描述
7.12至7.88 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.12至7.88 V
齐纳电流
50 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

NZ9F6V8ST5G

ON Semiconductor

描述
6.65至6.93 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.65至6.93 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMBZ5232ELT1/T3G

ON Semiconductor

描述
5.32至5.88 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
5.32至5.88 V
齐纳电流
20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4697T1G

ON Semiconductor

描述
9.5至10.5 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
9.5至10.5 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛