HLB2F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
470 - 870 MHz,HybriX PTFE 混合耦合器
频率
470 - 870 MHz
隔离度
20 dB
插入损耗
0.12 dB
平均功率
500 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HDC3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
380 - 520 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
380 - 520 MHz
隔离度
20 dB
插入损耗
0.3 dB
平均功率
200 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HDDF

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
811 - 1000 MHz,HybriX PTFE 混合耦合器
频率
811 - 1000 MHz
隔离度
26 dB
插入损耗
0.15 dB
平均功率
200 Watts
VSWR
1.15:1
封装类型
表贴

HAP3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
2300 - 2700 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
2300 - 2700 MHz
隔离度
20 dB
插入损耗
0.12 dB
平均功率
300 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HPR2F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
3000 - 4500 MHz,HybriX PTFE 混合耦合器
频率
3000 - 4500 MHz
隔离度
24 dB
插入损耗
0.18 dB
平均功率
60 Watts
VSWR
1.15:1
封装类型
表贴

HDJ3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
1700 - 2000 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
1700 - 2000 MHz
隔离度
25 dB
插入损耗
0.15 dB
平均功率
200 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HEAF

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
150 - 175 MHz,HybriX PTFE 混合耦合器
频率
150 - 175 MHz
隔离度
20 dB
插入损耗
0.2 dB
平均功率
200 Watts
VSWR
1.17:1
封装类型
表贴

HPL3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
2000 - 2300 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
2000 - 2300 MHz
隔离度
20 dB
插入损耗
0.2 dB
平均功率
80 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HDD3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
815 - 960 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
815 - 960 MHz
隔离度
23 dB
插入损耗
0.15 dB
平均功率
200 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

HAL3F

EMC Technology & Florida RF Labs

描述
2000 - 2300 MHz,LTCC 混合耦合器
频率
2000 - 2300 MHz
隔离度
20 dB
插入损耗
0.12 dB
平均功率
300 Watts
VSWR
1.2:1
封装类型
表贴

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