MHC8-020180

Microot Microwave

描述
2至18 GHz, 20 W ,180°混合耦合器
频率
2至18 GHz
插入损耗
2 dB
隔离度
16 dB
平均功率
20 W
VSWR
1.60:1
封装类型
带连接器模组
连接器类型
SMA, SMA - 阴
阻抗
50 Ohms

MHC8-007124

Microot Microwave

描述
0.75至12.4 GHz, 20 W ,180°混合耦合器
频率
0.75至12.4 GHz
插入损耗
3 dB
隔离度
20 dB
平均功率
20 W
VSWR
1.60:1
封装类型
带连接器模组
连接器类型
SMA, SMA - 阴
阻抗
50 Ohms

MHC8-040180

Microot Microwave

描述
4至18 GHz, 20 W ,180°混合耦合器
频率
4至18 GHz
插入损耗
1.8 dB
隔离度
15 dB
平均功率
20 W
VSWR
1.60:1
封装类型
带连接器模组
连接器类型
SMA, SMA - 阴
阻抗
50 Ohms

MHC8-040124

Microot Microwave

描述
4至12.4 GHz, 20 W ,180°混合耦合器
频率
4至12.4 GHz
插入损耗
0.9 dB
隔离度
18 dB
平均功率
20 W
VSWR
1.40:1
封装类型
带连接器模组
连接器类型
SMA, SMA - 阴
阻抗
50 Ohms

MHC8-030035

Microot Microwave

描述
3至3.5 GHz, 20 W ,180°混合耦合器
频率
3至3.5 GHz
插入损耗
0.5 dB
隔离度
20 dB
平均功率
20 W
VSWR
1.22:1
封装类型
带连接器模组
连接器类型
N 型, N 型 - 阴
阻抗
50 Ohms

MHC8-060265

Microot Microwave

描述
6至26.5 GHz, 20 W ,180°混合耦合器
频率
6至26.5 GHz
插入损耗
1.6 dB
隔离度
14 dB
平均功率
20 W
VSWR
1.70:1
封装类型
带连接器模组
连接器类型
SMA, SMA - 阴
阻抗
50 Ohms

MHC8-100400

Microot Microwave

描述
10至40 GHz, 20 W ,180°混合耦合器
频率
10至40 GHz
插入损耗
3.5 dB
隔离度
14 dB
平均功率
20 W
VSWR
1.80:1
封装类型
带连接器模组
连接器类型
2.92mm, 2.92mm - 阴
阻抗
50 Ohms

MHC8-007060

Microot Microwave

描述
0.75至6 GHz, 20 W ,180°混合耦合器
频率
0.75至6 GHz
插入损耗
2 dB
隔离度
20 dB
平均功率
20 W
VSWR
1.40:1
封装类型
带连接器模组
连接器类型
SMA, SMA - 阴
阻抗
50 Ohms

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛