TRM Microwave

描述

60 dB，双定向耦合器，2-30 MHz

频率

2 - 30 MHz

耦合度

60 dB

方向性

30 dB

插入损耗

0.05 dB

VSWR

1.05:1

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Werlatone Inc

描述

30 dB，双定向耦合器

频率

30 - 90 MHz

耦合度

30 dB

方向性

25 dB

插入损耗

0.15 dB

封装类型

带连接器模组

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L-3 Narda-MITEQ

频率

225 - 400 MHz

耦合度

40 dB

方向性

25 dB

插入损耗

0.2 dB

VSWR

1.15:1

封装类型

带连接器模组

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Advanced Technical Materials

描述

50 dB，大功率：600 Watt，双定向耦合器，2000至4000 MHz

频率

2至4 GHz

耦合度

50+/-1.00 dB

方向性

23 dB

插入损耗

0.15 dB

封装类型

带连接器模组

连接器类型

SMA，N型，N型 - 阴，SMA - 阴

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MCLI

描述

30 dB，30 -90 MHz，高功率，双定向耦合器(HDL-系列)

频率

30 - 90 MHz

耦合度

30 dB

方向性

20 dB

插入损耗

0.25 dB

VSWR

1.10:1

封装类型

带连接器模组

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MCLI

描述

40 dB，0.01 -250 MHz，高功率，双定向耦合器(HDL-系列)

频率

0.01 - 250 MHz

耦合度

40 dB

方向性

20 dB

插入损耗

0.5 dB

VSWR

1.10:1

封装类型

带连接器模组

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Werlatone Inc

描述

60 dB，双定向耦合器

频率

2 - 30 MHz

耦合度

60 dB

方向性

20 dB

插入损耗

0.05 dB

封装类型

带连接器模组

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RF-Lambda

描述

双定向耦合器

频率

6 至 18 GHz

耦合度

15dB

方向性

12

插入损耗

1.0 dB

连接器类型

SMA

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Werlatone Inc

描述

30 dB，双定向耦合器

频率

0.01 - 1000 MHz

耦合度

30 dB

方向性

20 dB

插入损耗

1.2 dB

封装类型

带连接器模组

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L-3 Narda-MITEQ

频率

500 - 1000 MHz

耦合度

10 dB

方向性

20 dB

插入损耗

1.5 dB

VSWR

1.2:1

封装类型

带连接器模组

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