BZM55C11

Micro Commercial Components

描述
10.4至11.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
10.4至11.6 V
齐纳电流
1.0 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

NZH3V3A

NXP Semiconductors

描述
3.3 V,单齐纳二极管
齐纳电压
3.3 V
齐纳电流
20 mA
功率
830 mW
封装类型
表面封装

BZX84C22LT1G

ON Semiconductor

描述
20.8至23.3 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
20.8至23.3 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

MM5Z12VST1G

ON Semiconductor

描述
11.74至12.24 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
11.74至12.24 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

LSH2-B2

Micro Commercial Components

描述
2至2.2 V,引线,齐纳二极管
齐纳电压
2至2.2 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
引脚

BZV49-C3V9

NXP Semiconductors

描述
3.9 V,稳压二极管
齐纳电压
3.9 V
齐纳电流
5 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

EDZV27B

ROHM Semiconductor

描述
27 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
27 V
齐纳电流
2 mA
功率
150 mW
封装类型
表面封装

1EZ20D5

Micro Commercial Components

描述
20 V,引线,齐纳二极管
齐纳电压
20 V
齐纳电流
45 mA
功率
1 W
封装类型
引脚

BZB84-C62

NXP Semiconductors

描述
62 V,双齐纳二极管
齐纳电压
62 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

CD4682

Aeroflex / Metelics

描述
2.7 V, 0.5 W 齐纳二极管芯片
齐纳电压
2.7 V
齐纳电流
90 mA
功率
0.5 W
封装类型
芯片

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛