PZU13BL

NXP Semiconductors

描述
13 V,单齐纳二极管
齐纳电压
13 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZT52B8V2JS

Micro Commercial Components

描述
8.04至8.36 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
8.04至8.36 V
齐纳电流
1.00 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

MMXZ5255C

Micro Commercial Components

描述
27.44至28.56 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
27.44至28.56 V
齐纳电流
100 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

TDZ5V1J

NXP Semiconductors

描述
5 V,单齐纳二极管
齐纳电压
5 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZT52B11JS

Micro Commercial Components

描述
10.78至11.22 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
10.78至11.22 V
齐纳电流
1.00 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

BZX84J-C2V4

NXP Semiconductors

描述
2 V,单齐纳二极管
齐纳电压
2 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

BZX84B16

Micro Commercial Components

描述
16至15.68,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
16至15.68
齐纳电流
40 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

BZV90-C2V7

NXP Semiconductors

描述
2.7 V,稳压二极管
齐纳电压
2.7 V
齐纳电流
5 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

PZU15B2A

NXP Semiconductors

描述
15 V,单齐纳二极管
齐纳电压
15 V
齐纳电流
5 mA
功率
490 mW
封装类型
表面封装

BZB84-C2V7

NXP Semiconductors

描述
2 V,双齐纳二极管
齐纳电压
2 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛