BZV90-C4V7

NXP Semiconductors

描述
4 V,稳压二极管
齐纳电压
4 V
齐纳电流
5 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

TDZFH22

ROHM Semiconductor

描述
22 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
22 V
齐纳电流
10 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

TFZFH27B

ROHM Semiconductor

描述
24.97至26.26 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
24.97至26.26 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

PZU10B

NXP Semiconductors

描述
10 V,单齐纳二极管
齐纳电压
10 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

PZU15BL

NXP Semiconductors

描述
14 V,单齐纳二极管
齐纳电压
14 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

DL4737A

Micro Commercial Components

描述
7.5 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
7.5 V
齐纳电流
121 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

DL4753A

Micro Commercial Components

描述
36 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
36 V
齐纳电流
25 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

PZU18B2L

NXP Semiconductors

描述
17 V,单齐纳二极管
齐纳电压
17 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

MMXZ5234C

Micro Commercial Components

描述
6.08至6.32 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.08至6.32 V
齐纳电流
100 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

DL4698

Micro Commercial Components

描述
10.45至11.55 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
10.45至11.55 V
齐纳电流
21.6 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛