PZU3.9B2L

NXP Semiconductors

描述
3 V,单齐纳二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

DFLZ10

Micro Commercial Components

描述
10至9.4 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
10至9.4 V
齐纳电流
50 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

BZX384-C12

NXP Semiconductors

描述
12 V,单齐纳二极管
齐纳电压
12 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

VDZFH4.7B

ROHM Semiconductor

描述
4.7 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
4.7 V
齐纳电流
5 mA
功率
100 mW
封装类型
表面封装

BZX84J-B3V3

NXP Semiconductors

描述
3 V,单齐纳二极管
齐纳电压
3 V
齐纳电流
5 mA
功率
550 mW
封装类型
表面封装

MMXZ5252B

Micro Commercial Components

描述
24 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
24 V
齐纳电流
5.2 mA(测试电流)
功率
200 mW
封装类型
表面封装

UMZ6.8ENFH

ROHM Semiconductor

描述
6.8 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
6.8 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

EDZVFH20B

ROHM Semiconductor

描述
20 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
20 V
齐纳电流
5 mA
功率
150 mW
封装类型
表面封装

CD978B

Aeroflex / Metelics

描述
47 V, 0.5 W 齐纳二极管芯片
齐纳电压
47 V
齐纳电流
8.8 mA
功率
0.5 W
封装类型
芯片

UMZC6.8NFH

ROHM Semiconductor

描述
6.8 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
6.8 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛