DL5249B

Micro Commercial Components

描述
19 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
19 V
齐纳电流
6.6 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX585-C33

NXP Semiconductors

描述
33 V,稳压二极管
齐纳电压
33 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

NZX33B

NXP Semiconductors

描述
32.9 V,单齐纳二极管
齐纳电压
32.9 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZX784C13

Micro Commercial Components

描述
13至12.4,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
13至12.4
齐纳电流
5 mA
功率
150 mW
封装类型
表面封装

SMA2EZ39D5

Micro Commercial Components

描述
39 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
39 V
齐纳电流
47 mA
功率
24 mW
封装类型
表面封装

BZX84C30LT1G

ON Semiconductor

描述
28至32 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
28至32 V
齐纳电流
5, 1, 20 mA
功率
225 mW
封装类型
表面封装

BZX55C30

Micro Commercial Components

描述
28至32 V,引线,齐纳二极管
齐纳电压
28至32 V
齐纳电流
1 mA
功率
500 mW
封装类型
引脚

MMSZ4699T1G

ON Semiconductor

描述
11.4至12.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
11.4至12.6 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

BZB84-B6V8

NXP Semiconductors

描述
6 V,双齐纳二极管
齐纳电压
6 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

MMSZ3V0T1G

ON Semiconductor

描述
2.85至3.15 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.85至3.15 V
齐纳电流
1, 5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛