SMB2EZ33D5

Micro Commercial Components

描述
33 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
33 V
齐纳电流
55 mA
功率
2 W
封装类型
表面封装

BZB84-C6V8

NXP Semiconductors

描述
6 V,双齐纳二极管
齐纳电压
6 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

LSH27-2

Micro Commercial Components

描述
26.2至27.6 V,引线,齐纳二极管
齐纳电压
26.2至27.6 V
齐纳电流
2 mA
功率
500 mW
封装类型
引脚

PTZTF11B

ROHM Semiconductor

描述
11 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
11 V
齐纳电流
20 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

MM3Z2V7T1G

ON Semiconductor

描述
2.5至2.9 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
2.5至2.9 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

BZX84C43

Micro Commercial Components

描述
40.85至45.15 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
40.85至45.15 V
齐纳电流
5 mA
功率
300 mW
封装类型
表面封装

MTZJ7.5A

Micro Commercial Components

描述
6.85至7.22 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
6.85至7.22 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

NZX4V7C

NXP Semiconductors

描述
4 V,单齐纳二极管
齐纳电压
4 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

NZ9F18VST5G

ON Semiconductor

描述
17.56至18.35 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
17.56至18.35 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

BZX84-B4V7

NXP Semiconductors

描述
4.7 V,单齐纳二极管
齐纳电压
4.7 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛