BZV55-B68

NXP Semiconductors

描述
68 V,稳压二极管
齐纳电压
68 V
齐纳电流
5 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

MMSZ4709ET1G

ON Semiconductor

描述
22.8至25.2 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
22.8至25.2 V
齐纳电流
50 uA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

DL4745A

Micro Commercial Components

描述
16 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
16 V
齐纳电流
57 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

STZ6.8NFH

ROHM Semiconductor

描述
6.8 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
6.8 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

BZX584C4V3

Micro Commercial Components

描述
4至4.6 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
4至4.6 V
齐纳电流
5 mA
功率
150 mW
封装类型
表面封装

BZB84-B13

NXP Semiconductors

描述
13 V,双齐纳二极管
齐纳电压
13 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

BZX84-B9V1

NXP Semiconductors

描述
9 V,单齐纳二极管
齐纳电压
9 V
齐纳电流
5 mA
功率
250 mW
封装类型
表面封装

SMBJ5927B

Micro Commercial Components

描述
12 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
12 V
齐纳电流
0.25 mA
功率
1.5 W
封装类型
表面封装

SMAJ4743A

Micro Commercial Components

描述
13 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
13 V
齐纳电流
0.25 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

AZ23C18W

Micro Commercial Components

描述
16.8至19.1 V,表面封装,齐纳二极管
齐纳电压
16.8至19.1 V
齐纳电流
5 mA
功率
200 mW
封装类型
表面封装

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛