NXP Semiconductors

描述

2000 - 2200 MHz，LDMOS晶体管用于通信、蜂窝通信和基站

频率

2000 - 2200 MHz

供电电压

28 V(DC)

增益

18.5 dB

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Freescale

描述

470-860 MHz，600 W，50 V LDMOS 宽带 RF功率晶体管

频率

470 - 860 MHz

供电电压

50 V

增益

19.3 dB @ 19.3 MHz

功率(W)

600 W

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置C 平衡到平衡 0.01-500MHz

频率

0.10-300 MHz

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MACOM

描述

硅基Bipolar晶体管

频率

2856 - 2856 MHz

功率(W)

160 W

封装类型

陶瓷

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Ampleon

描述

54.15 dBm (260 W), LDMOS晶体管，700 - 1000 MHz

频率

700 - 1000 MHz

增益

22 dB

功率(W)

260 W

封装类型

法兰, 陶瓷

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Mini Circuits

描述

变频器 表面贴装 配置D 非平衡到非平衡 0.050-2500MHz

频率

0.50-2200 MHz

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Integra Technologies, Inc.

描述

2200至2260 MHz，8.4 dB 双极晶体管

频率

2200至2260 MHz

供电电压

38 V

增益

8.4 dB

封装类型

法兰

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Ampleon

描述

51.76 dBm (150 W), LDMOS晶体管，2500 - 2700 MHz

频率

2500 - 2700 MHz

增益

16.5 dB

功率(W)

150 W

封装类型

法兰, 陶瓷

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Integra Technologies, Inc.

描述

1030至1090 MHz，16.6 dB LDMOS晶体管

频率

1030至1090 MHz

供电电压

50 V

增益

16.6 dB

封装类型

法兰

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Freescale

描述

869-960 MHz，100 W，26 V GSM/GSM EDGE 侧面N-通道RF功率MOSFET

频率

869 - 960 MHz

供电电压

26 V

增益

17.5 dB @ 17.5 MHz

功率(W)

100 W

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