DB1218LW1

L-3 Narda-MITEQ

RF频率
12 GHz 至 18GHz
LO频率
12 GHz 至 18GHz
中频频率
0 MHz 至 2000 MHz
转换损耗
6.5 dB
LO驱动功率
10 dBm
P1dB
0 dBm
IP3
10 dBm

ML401

Qorvo

描述
混频器, LO 放大器
RF频率
1.7 - 2.2 GHz
LO频率
1.55 - 2.15 GHz
中频频率
50 - 250 MHz
转换损耗
8.2 dB
封装类型
表贴
LO驱动功率
0 dBm
P1dB
20 dBm
IP3
30 dBm
供电电压
5 V

PE4152

Peregrine Semiconductor

描述
超CMOS射频混频器,用于陆地移动无线电(LMR),战术无线电和蜂窝基础设施应用
RF频率
136 - 935 MHz
LO频率
245.65 - 831.35 MHz
中频频率
109.65 MHz
转换损耗
6.5 - 8.7 dB
封装类型
表贴
LO驱动功率
-10 ~23 dBm
IP3
19 - 26 dBm
供电电压
2.9 - 3.1 V

ARM0408LC2C

L-3 Narda-MITEQ

RF频率
4 GHz 至 8GHz
LO频率
4 GHz 至 8GHz
中频频率
100 MHz 至 200 MHz
LO驱动功率
11.5 dBm
P1dB
-24 dBm
IP3
-14 dBm

LRMS-1LH

Mini Circuits

描述
混频器 表面贴装 10级 500kHz-15GHz
RF频率
0-500 MHz
LO频率
0-2 MHz
中频频率
0-500 MHz
转换损耗
5.36-7 dB
封装类型
表贴
P1dB
3 dBm

IRJ150180T1W01

L-3 Narda-MITEQ

描述
15000 MHz - 18000 MHz,射频、微波镜频抑制混频器, 8.5 dB最大转换损耗
RF频率
15000 MHz - 18000 MHz
转换损耗
8.5dB

SIM-43H

Mini Circuits

描述
混频器 表面贴装 15-17级 150kHz-21.5GHz
RF频率
0-4000 MHz
LO频率
0-1000 MHz
中频频率
0-1500 MHz
转换损耗
6.5-8.6 dB
封装类型
表贴
P1dB
14 dBm
IP3
22 dBm

HMC256

Analog Devices

描述
I/Q 混频器 / IRM
RF频率
5.9 - 12 GHz
LO频率
5.7 - 12 GHz
中频频率
DC - 1.5 GHz
转换损耗
8 dB
封装类型
Die
LO驱动功率
15 dBm
P1dB
5 dBm
IP3
18 dBm

M4-0226

Marki Microwave

描述
M4系列混频器-超宽带(双平衡)
RF频率
2000-26500 MHz
LO频率
2000-26500 MHz
中频频率
DC-700 MHz
转换损耗
7.5 dB
封装类型
连接器类型模组

HSS2-2

RF-Lambda

描述
线性混频器
RF频率
5 至 999.99 MHz
LO频率
5 至 999.99 MHz
中频频率
999.99 MHz
转换损耗
6.0 dB
LO驱动功率
3~13 dBm

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