Analog Devices

RF频率

4.5 - 9.0 GHz

LO频率

4.5 - 9.0 GHz

中频频率

DC - 2.5 GHz

转换损耗

8.5 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

13 dBm

P1dB

5 - 10 dBm

IP3

21 dBm

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Mini Circuits

描述

混频器 表面贴装 7级 50kHz-15GHz

RF频率

0-2000 MHz

LO频率

0-350 MHz

中频频率

0-400 MHz

转换损耗

5.5-9.2 dB

封装类型

表贴

P1dB

1 dBm

IP3

12 dBm

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TRAK Microwave Corporation

描述

10MHz - 2000MHz，射频、微波双平衡混频器

RF频率

10MHz - 2000MHz

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Mini Circuits

描述

混频器 同轴 10级 150kHz-27GHz

RF频率

0-4200 MHz

LO频率

0-1000 MHz

中频频率

0-1500 MHz

转换损耗

6-8.9 dB

封装类型

连接器类型模组

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Spacek Labs

描述

单端和上变频混频器

RF频率

32.2-33.2 GHz

LO频率

31.2 GHz

中频频率

1-2 GHz

转换损耗

5.5 / 6.5 dB

封装类型

连接器类型模组

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Analog Devices

描述

高 IP3, DBL-BAL, 0 LO

RF频率

1.7 - 2.2 GHz

LO频率

1.5 - 2.2 GHz

中频频率

0.05 - 0.30 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

表贴

P1dB

26 dBm

IP3

38 dBm

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API Technologies - Inmet

描述

0.01MHz - 150MHz，射频、微波双平衡混频器, 6dB最大转换损耗

RF频率

0.01MHz - 150MHz

转换损耗

6dB

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Mini Circuits

描述

混频器 表面贴装 15-17级 150kHz-21.5GHz

RF频率

0-1000 MHz

LO频率

0-5 MHz

中频频率

0-900 MHz

转换损耗

6.98-9.3 dB

封装类型

表贴

P1dB

14 dBm

IP3

23 dBm

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L-3 Narda-MITEQ

描述

800 MHz - 1000 MHz，射频、微波镜频抑制混频器, 7.5 dB最大转换损耗

RF频率

800 MHz - 1000 MHz

转换损耗

7.5dB

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API Technologies - Inmet

描述

8000MHz - 18000MHz，射频、微波镜频抑制混频器, 10dB最大转换损耗

RF频率

8000MHz - 18000MHz

转换损耗

10dB

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