Mini Circuits
- RF频率
- 0-1200 MHz
- LO频率
- 0-5 MHz
- 中频频率
- 0-1000 MHz
- 转换损耗
- 6.5-9 dB
- 封装类型
- 表贴
- P1dB
- 1 dBm
- IP3
- 16 dBm
L-3 Narda-MITEQ
- 描述
- 12000 MHz - 18500 MHz,射频、微波双平衡混频器, 7.5 dB最大转换损耗
- RF频率
- 12000 MHz - 18500 MHz
- 转换损耗
- 7.5dB
Avago Technologies
- 描述
- 7-20GHz,GaAs MMIC LNA/IRM 接收机,SMT 封装
- RF频率
- 7000-20000 MHz
- 中频频率
- 0-3500 MHz
- 封装类型
- 裸片
- IP3
- -6 dBm
RFMD
- 描述
- 差分IF下变频器 2300MHz-2700MHz
- RF频率
- 2300-2700 MHz
- LO频率
- 2000-3000 MHz
- 中频频率
- 50-300 MHz
- 封装类型
- 表贴
- LO驱动功率
- -3-3 dBm
- IP3
- 38.8 dBm
Marki Microwave
- 描述
- M8系列混频器-高性能,高隔离度 (双平衡)
- RF频率
- 2000-26500 MHz
- LO频率
- 2000-26500 MHz
- 中频频率
- DC-1.5 GHz
- 转换损耗
- 6.5 dB
- 封装类型
- 连接器类型模组
Hittite
- 描述
- I/Q上变频器,带VGA
- RF频率
- 5.5-8.6 GHz
- 中频频率
- DC-3 GHz
- 封装类型
- 表贴
- IP3
- 29 dBm
API Technologies
- 描述
- 2000-18000MHz,超宽带混频器
- RF频率
- 2000-18000 MHz
- LO频率
- 2000-18000 MHz
- 中频频率
- 0-600 MHz
- 转换损耗
- 8.5 dB
- 封装类型
- 连接器类型模组
- LO驱动功率
- 7至10 dBm
- P1dB
- 2-3 dBm
- IP3
- 10至13 dBm
Mini Circuits
- RF频率
- 0-1000 MHz
- LO频率
- 0-5 MHz
- 中频频率
- 0-1000 MHz
- 转换损耗
- 6.72-9.5 dB
- 封装类型
- 表贴
- P1dB
- 9 dBm
- IP3
- 22 dBm
Hittite
- RF频率
- 11-20 GHz
- 中频频率
- DC-6 GHz
- 转换损耗
- 7 dB
- 封装类型
- 表贴
- LO驱动功率
- 13 dBm
- IP3
- 18 dBm
L-3 Narda-MITEQ
- 描述
- 800 MHz - 1000 MHz,射频、微波镜频抑制混频器, 7.5 dB最大转换损耗
- RF频率
- 800 MHz - 1000 MHz
- 转换损耗
- 7.5dB