SYM-12

Mini Circuits

RF频率
0-1200 MHz
LO频率
0-5 MHz
中频频率
0-1000 MHz
转换损耗
6.5-9 dB
封装类型
表贴
P1dB
1 dBm
IP3
16 dBm

M1218H-5

L-3 Narda-MITEQ

描述
12000 MHz - 18500 MHz,射频、微波双平衡混频器, 7.5 dB最大转换损耗
RF频率
12000 MHz - 18500 MHz
转换损耗
7.5dB

AMMP-6522

Avago Technologies

描述
7-20GHz,GaAs MMIC LNA/IRM 接收机,SMT 封装
RF频率
7000-20000 MHz
中频频率
0-3500 MHz
封装类型
裸片
IP3
-6 dBm

RFMX2015

RFMD

描述
差分IF下变频器 2300MHz-2700MHz
RF频率
2300-2700 MHz
LO频率
2000-3000 MHz
中频频率
50-300 MHz
封装类型
表贴
LO驱动功率
-3-3 dBm
IP3
38.8 dBm

M8-0226

Marki Microwave

描述
M8系列混频器-高性能,高隔离度 (双平衡)
RF频率
2000-26500 MHz
LO频率
2000-26500 MHz
中频频率
DC-1.5 GHz
转换损耗
6.5 dB
封装类型
连接器类型模组

HMC925LC5

Hittite

描述
I/Q上变频器,带VGA
RF频率
5.5-8.6 GHz
中频频率
DC-3 GHz
封装类型
表贴
IP3
29 dBm

MM9xxG-21

API Technologies

描述
2000-18000MHz,超宽带混频器
RF频率
2000-18000 MHz
LO频率
2000-18000 MHz
中频频率
0-600 MHz
转换损耗
8.5 dB
封装类型
连接器类型模组
LO驱动功率
7至10 dBm
P1dB
2-3 dBm
IP3
10至13 dBm

RMS-2MH

Mini Circuits

RF频率
0-1000 MHz
LO频率
0-5 MHz
中频频率
0-1000 MHz
转换损耗
6.72-9.5 dB
封装类型
表贴
P1dB
9 dBm
IP3
22 dBm

HMC554LC3B

Hittite

RF频率
11-20 GHz
中频频率
DC-6 GHz
转换损耗
7 dB
封装类型
表贴
LO驱动功率
13 dBm
IP3
18 dBm

IRJ008010T2W03

L-3 Narda-MITEQ

描述
800 MHz - 1000 MHz,射频、微波镜频抑制混频器, 7.5 dB最大转换损耗
RF频率
800 MHz - 1000 MHz
转换损耗
7.5dB

©2016 北京麦斯科技有限公司 京ICP备15016984号-1

友情链接:微波仿真网 | RFsister | 天线工程师论坛