Analog Devices

描述

GaAs MMIC I/Q 上变频器, 37 - 40 GHz

RF频率

37 - 40 GHz

LO频率

16.5 - 22 GHz

中频频率

0 - 4 GHz

封装类型

表贴

LO驱动功率

4 dBm

P1dB

14 dBm

IP3

27 dBm

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Mini Circuits

RF频率

0-3000 MHz

LO频率

0-10 MHz

中频频率

10-800 MHz

转换损耗

6.13-8.5 dB

封装类型

连接器类型模组

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Mini Circuits

描述

5MHz - 1000MHz，射频、微波双平衡混频器, 10dB最大转换损耗

RF频率

5MHz - 1000MHz

转换损耗

10dB

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Analog Devices

描述

高 IP3 Dual 下变频器

RF频率

0.7 - 1.0 GHz

LO频率

570 - 900 MHz

中频频率

0.06 - 0.4 GHz

封装类型

表贴

P1dB

11 dBm

IP3

23 dBm

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Hittite

描述

I/Q 下变频器/接收机

RF频率

24-28 GHz

中频频率

DC-3.5 GHz

封装类型

表贴

IP3

5 dBm

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Hittite

RF频率

1-11 GHz

中频频率

DC-2 GHz

转换损耗

7 dB

封装类型

裸片

LO驱动功率

15 dBm

IP3

17 dBm

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L-3 Narda-MITEQ

描述

15000 MHz - 18000 MHz，射频、微波镜频抑制混频器, 8.5 dB最大转换损耗

RF频率

15000 MHz - 18000 MHz

转换损耗

8.5dB

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Mercury Systems

RF频率

5000-9000 MHz

封装类型

连接器类型模组，表贴

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Mini Circuits

描述

混频器 插入式 13级 25kHz-4.2GHz

RF频率

0-1100 MHz

LO频率

0-2 MHz

中频频率

0-500 MHz

转换损耗

6.63-9 dB

封装类型

插入

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Analog Devices

描述

高 IP3 双下变频器

RF频率

1.7 - 2.2 GHz

LO频率

2.2 - 2.6 GHz

中频频率

0.05 - 0.3 GHz

封装类型

表贴

P1dB

10 - 12 dBm

IP3

27 dBm

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