NXP Semiconductors
- 描述
- 29.3至34.2 pF,VHF变容二极管
- 电容
- 29.3至34.2 pF
- 前向连续电流
- 20 mA
- 峰值反向电压
- 32 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 0.5 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 0.5 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 1 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 1 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 24.8 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 24.8 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 13 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 13 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 0.35 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 0.35 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴
Infineon Technologies
- 描述
- 5.3 pF (CT1),2.4 pF(CT2),变容二极管
- 电容
- 5.3 pF (CT1),2.4 pF(CT2)
- 前向连续电流
- 20.0 mA
- 峰值反向电压
- 6 V
- 封装类型
- 表贴
MACOM
- 描述
- 47 pF,低电压/高损耗硅超突变结,变容二极管
- 电容
- 47 pF
- 前向连续电流
- 50 mA
- 峰值反向电压
- 12 V
- 封装类型
- 表贴