L-3 Narda-MITEQ

输入频率

0.02 GHz 至 0.5 GHz

输入功率

8 - 12 dBm

输出功率

-5 dBm

封装类型

连接器类型模组

转换损耗

-13 dB

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Mini Circuits

描述

2x倍频器，高谐波抑制

输入频率

1700-3600MHz

输入功率

8至13dBm

封装类型

LTCC

转换损耗

11dB

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L-3 Narda-MITEQ

描述

10000MHz；射频、微波三倍频器

输入频率

10GHz

输入功率

15dBm

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Pulsar Microwave

描述

300MHz-3000MHz；射频、微波二倍频器；13dB最大转换损耗

输入频率

300MHz-3GHz

输入功率

15dBm

转换损耗

13dB

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Hittite

描述

射频、微波二倍频器

输入频率

9 - 14.5GHz

电压

5V

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Sigatek

输入频率

50-1000MHz

输入功率

10dBm

封装类型

连接器类型模组

连接器类型

SMA

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L-3 Narda-MITEQ

输入频率

2.28 GHz 至 2.56 GHz

输入功率

8 - 12 dBm

输出功率

11 dBm

封装类型

连接器类型模组

转换损耗

3 dB

电流

150 mA

电压

15 V

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NXP Semiconductors

描述

40MHz-1GHz；射频、微波二倍频器

输入频率

40MHz-1GHz

电流

470mA

电压

24V

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Wright Technologies

描述

8 dBm， 9.0 - 25 GH，倍频器

输入频率

9.0 - 25 GHz

输入功率

8 dBm

输出功率

17 dBm (Typ)

封装类型

带连接器模组

连接器类型

SMA， 2.9 mm， 2.4 mm

电流

525 mA

电压

12 V

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L-3 Narda-MITEQ

输入频率

9.5 GHz 至 11.5 GHz

输入功率

10 - 13 dBm

输出功率

10 dBm

封装类型

连接器类型模组

转换损耗

2 dB

电流

175 mA

电压

15 V

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