L-3 Narda-MITEQ
- 描述
- 50 dB, 低噪放, 10.7 - 12.75 GHz
- 类型
- 低噪放
- 频率
- 10.7 - 12.75 GHz
- 波导尺寸
- WR-75
- 增益
- 50 dB
- P1dB
- 10 dBm
- 噪声系数
- 0.939 dB
- VSWR
- 1.25:1, 1.50:1
L-3 Narda-MITEQ
- 描述
- 60 dB, 低噪放, 10.95 - 12.75 GHz
- 类型
- 低噪放
- 频率
- 10.95 - 12.75 GHz
- 波导尺寸
- WR-75
- 增益
- 60 dB
- P1dB
- 10 dBm
- 噪声系数
- 0.878 dB
- VSWR
- 1.25:1, 1.50:1
Genmix Technology
- 描述
- 3.4至4.2 GHz,波导放大器
- 类型
- 低噪声放大器
- 频率
- 3.4至4.2 GHz
- 波导尺寸
- WR-229
- 增益
- 45 dB
- P1dB
- 12 dBm(最小)
- 噪声系数
- 0.8 dB
- IP3
- 22 dBm
- VSWR
- 2.50:1
中电41所
- 描述
- 频带宽。采用GaAs或GaN等固态器件设计。采用平面合成和空间合成技术,产品最高输出功率达到82W。
- 频率
- 50~66GHz
- 波导尺寸
- WR15
- 增益
- 15dB
- P1dB
- 19dBm
中电41所
- 描述
- 频带宽。采用GaAs或GaN等固态器件设计。采用平面合成和空间合成技术,产品最高输出功率达到54W。
- 频率
- 84~100GHz
- 波导尺寸
- WR10
- 增益
- 14dB
- P1dB
- 1dBm
- 噪声系数
- 6 dB
中电41所
- 描述
- 频带宽。采用GaAs或GaN等固态器件设计。采用平面合成和空间合成技术,产品最高输出功率达到81W。
- 频率
- 26~40GHz
- 波导尺寸
- WR28
- 增益
- 17dB
- P1dB
- 29dBm
- 噪声系数
- 7 dB
中电41所
- 描述
- 频带宽。采用GaAs或GaN等固态器件设计。采用平面合成和空间合成技术,产品最高输出功率达到84W。
- 频率
- 90~100GHz
- 波导尺寸
- WR10
- 增益
- 17dB
- P1dB
- 12.5dBm