RN2 Technologies

描述

2300至2700 MHz，80 W，90度混合耦合器

频率

2300至2700 MHz

耦合度

4 dB

插入损耗

0.15 dB

平均功率

80 W

VSWR

1.20:1

封装类型

表贴

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RN2 Technologies

描述

2000至2300 MHz，200 W，90度混合耦合器

频率

2000至2300 MHz

耦合度

5 dB

插入损耗

0.1 dB

平均功率

200 W

VSWR

1.12:1

封装类型

表贴

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Sigatek

描述

低插入损耗，出色隔离度，坚固的屏蔽外壳，紧凑小巧外壳，混合耦合器，功率分集

频率

2000 - 16000 MHz

耦合度

3.5 dB

隔离度

17 dB

平均功率

100 W

VSWR

1.35:1

封装类型

带连接器模组

连接器类型

SMA

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Response Microwave Inc

频率

1000 - 2000 MHz

耦合度

3 +/- 0.3 dB

插入损耗

0.3 dB

VSWR

1.2:1

封装类型

带连接器模组

连接器类型

SMA - 阴

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Anaren Inc

描述

2650 - 2800 MHz，Xinger-品牌 90°混合耦合器

频率

2650 - 2800 MHz

隔离度

20 dB

插入损耗

0.25 dB

平均功率

50 W

封装类型

表贴

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L-3 Narda-MITEQ

频率

1200 MHz 至 1400MHz

隔离度

20 dB

插入损耗

0.3 dB

平均功率

250 W

VSWR

1.2

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Werlatone Inc

描述

3dB 90°混合耦合器，(无连接器)

频率

80 - 1000 MHz

隔离度

16 dB

插入损耗

0.65 dB

平均功率

250 W

封装类型

带线式

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Kete Microwave

描述

50 W，90°混合耦合器，1.5 - 3 GHz

频率

1.5 - 3 GHz

隔离度

22 dB

插入损耗

0.3 dB

平均功率

50 W

VSWR

1.2:1

封装类型

带连接器模组

连接器类型

SMA - 阴, SMA

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I.F. Engineering

描述

正交型混合90°- 倍频程4端口

频率

40 - 80 MHz

隔离度

25 dB

插入损耗

0.5 dB

平均功率

3 W

VSWR

1.2:1

封装类型

带连接器模组

连接器类型

SMA

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L-3 Narda-MITEQ

频率

70 MHz 至 170MHz

隔离度

20 dB

插入损耗

0.35 dB

平均功率

250 W

VSWR

1.3

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