United Monolithic Semiconductors

描述

17.00-24.00 GHz-6.5-14.0 GHz，下变频混频器

RF频率

17.00-24.00 GHz

LO频率

6.5-14.0 GHz

中频频率

DC-3.5 GHz

转换损耗

11 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

0 dBm

供电电压

4 V

下载手册 官网资料 对比 询价

United Monolithic Semiconductors

描述

40.00-44.00 GHz-9.5-11.5 GHz，下变频混频器

RF频率

40.00-44.00 GHz

LO频率

9.5-11.5 GHz

中频频率

DC-2.0 GHz

转换损耗

21 dB

LO驱动功率

0 dBm

P1dB

-18 dBm

供电电压

4 V

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United Monolithic Semiconductors

RF频率

55.00-65.00 GHz

LO频率

27.50-32.50 GHz

中频频率

DC-5.00 GHz

转换损耗

12 dB

封装类型

裸片

LO驱动功率

10 dBm

P1dB

0 dBm

供电电压

3.5 V

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United Monolithic Semiconductors

RF频率

35.00-45.00 GHz

LO频率

16.00-24.00 GHz

中频频率

DC-3.00 GHz

转换损耗

11 dB

封装类型

裸片

LO驱动功率

10 dBm

P1dB

0 dBm

供电电压

4 V

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United Monolithic Semiconductors

描述

21.00-26.50 GHz-9.00-14.00 GHz，下变频混频器

RF频率

21.00-26.50 GHz

LO频率

9.00-14.00 GHz

中频频率

DC-3.5 GHz

转换损耗

14 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

2 dBm

供电电压

4 V

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United Monolithic Semiconductors

描述

17.00-20.00 GHz-7.50-10.00 GHz，下变频混频器

RF频率

17.00-20.00 GHz

LO频率

7.50-10.00 GHz

中频频率

DC-1.5 GHz

转换损耗

13 dB

封装类型

裸片

LO驱动功率

10 dBm

P1dB

-10 dBm

供电电压

3.5 V

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United Monolithic Semiconductors

描述

36.00-44.00 GHz-30.00-39.00 GHz，下变频混频器

RF频率

36.00-44.00 GHz

LO频率

30.00-39.00 GHz

中频频率

2.0-6.0 GHz

转换损耗

2.5 dB

封装类型

裸片

LO驱动功率

0 dBm

P1dB

8 dBm

供电电压

4 V

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United Monolithic Semiconductors

RF频率

76.00-77.00 GHz

LO频率

76.00-77.00 GHz

中频频率

DC-0.10 GHz

转换损耗

8 dB

封装类型

裸片

LO驱动功率

5.5 dBm

P1dB

0 dBm

供电电压

4.5 V

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United Monolithic Semiconductors

描述

37.00-40.00 GHz-17.50-21.00 GHz，下变频混频器

RF频率

37.00-40.00 GHz

LO频率

17.50-21.00 GHz

中频频率

DC-3.5 GHz

转换损耗

12 dB

封装类型

表贴

LO驱动功率

1 dBm

供电电压

4 V

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United Monolithic Semiconductors

描述

24.00-30.00 GHz-12.00-15.00 GHz，下变频混频器

RF频率

24.00-30.00 GHz

LO频率

12.00-15.00 GHz

中频频率

DC-1.5 GHz

转换损耗

11 dB

封装类型

裸片

LO驱动功率

10 dBm

P1dB

-10 dBm

供电电压

3.5 V

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